敲定芯片设计研究所的相关事项后,石莫又相继在2012实验室设立了多个研究所,形成一个以计算机为主的研发集群,精细化分工合作来整体推进计算机项目。
计算机研发集群为芯片设计研究所,半导体研究所,半导体设备研究所,电子元器件研究所,超级计算机研究所,前沿技术研究所,计算机系统研究所,计算机应用软件研究所,网络设备研究所。
2012实验室半导体研究所:是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究所,研究所主要的研究方向和领域有半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研究等。主要负责人有马佐凭、施铭、崔奇和胡正民。
马佐凭,微电子科学家。1945年11月生于GS省LZ市。1974年获得美国耶鲁大学博士学位。后任美国耶鲁大学教授、耶鲁大学电机系系主任、耶鲁大学微电子研究中心共同主任、天津大学名誉教授。是美国工程院院士、中科院外籍院士。
马佐凭做芯片上主要器件的研究,晶体管,CMOS等。马佐凭对金属/氧化物/半导体(MOS)的科学认知及技术发展,尤其是在MOS栅介质(包括高介电常数的栅介质)的科技领域做出重要贡献。
施铭,1957年毕业于台湾大学,之后赴美留学;1960年获得华盛顿大学硕士学位;1963年获得斯坦福大学电机博士学位后进入贝尔实验室工作,1967年发明了非挥发性记忆体,第一次阐述了闪存存储数据的原理技术;1994年当选为台湾中央研究院院士;1995年当选为美国国家工程院院士;1998年当选为中国工程院外籍院士;
施铭主要研究微电子科学技术与半导体器件,在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。
崔奇,1957年从香港培正中学毕业,1958年赴美国深造,就读于伊利诺伊州奥古斯塔纳学院。1967年在美国芝加哥大学获物理学博士学位,此后到著名的贝尔实验室工作。1982年起任普林斯顿大学电子工程系教授,是美国国家科学院院士,美国国家工程院院士,中国科学院外籍院士,中科院荣誉教授。1998年10月13日,瑞典皇家科学院宣布把1998年诺贝尔物理奖授予崔奇与德国科学家霍斯特•施特默和美国科学家罗伯特•劳克林,主要表彰他们发现并解释了电子量子流体这一特殊现象。
崔奇主要从事电子材料基本性质等领域的研究,主要学术兴趣是研究金属和半导体中电子的性质。他的这些研究将可应用于研制功能更强大的计算机和更先进的通信设备。
胡正民,微电子学家。1968年台湾大学电
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